食用,可生物降解的有机框架可以形成电阻随机存取存储器

一个作为计算机内存的方糖一直由美国科学家。氢氧化糖基有机框架注入了铷之间可以交换高和低电阻状态,类似于电阻随机存取存储器(RRAM)。

有机框架(mof)是由有机分子在三维晶格金属离子或集群。一般多孔,广泛调查储存气体,如氢燃料。但Bartosz Grzybowski美国伊利诺斯州埃文斯顿西北大学和他的同事们,一直在调查mof存储完全不同的东西:信息。

在大多数电脑,永久信息存储磁性硬盘或闪存。然而,这些技术可能很快就会取代其他密度的信息存储形式,如RRAM。在这种新兴的技术,组件通常是绝缘的“了”,或“0”,国家可以把‘上’,或‘1’,通过应用高电压,改变其化学结构。

通常,RRAM组件是基于半导体,如二氧化硅。Grzybowski和同事们的RRAM由财政部包含环糊精?、一种糖和铷离子。”,它只是一个立方体的糖,“Grzybowski说。它能吃。

威利VCH

大电压开启和关闭之间的州通过氧化银电极;一个较小的电压读取状态

研究人员与铷氢氧化物溶液注入财政部,提高导电率,并将其在银电极之间。当他们应用大(-10 v)负电压设备,其电极氧化,使其处于“1”状态。这种状态可以通过应用一个小“阅读”(4 v)正电压,生成一个大电流从左到右,随着离开电极开始氧化。然后,抹去它回到“0”状态,研究人员运用大量正电压,完全氧化左边电极。阅读这个状态与小的正电压无法产生电流,因为左边电极已经氧化。

非易失性绝缘“0”状态,这意味着它可以读很多次而不被丢失。相比之下,“1”状态陷入“0”在阅读,逐渐离开电极氧化。研究人员声称,这退化之间可以通过刷新状态中和阅读周期与另一个大的负电压。

托尼·凯尼恩伦敦大学学院的一名电子工程师说,方糖内存的性能远低于RRAM基于半导体。他还说,内存不兼容现有的互补金属氧化物半导体(互补金属氧化物半导体)技术,现代计算的主食。但这并不是说没有其他应用程序,这可能是很有趣的,”他补充道。

事实上,grzybowsk目光投向非常规应用程序。商业RRAMs更快的读写时间,但我们相信,我们可以使我们的更便宜,绝对环保,”他说。我们思维的一个可生物降解的记忆。”