氮杂卡宾用于氢化二硅化陷阱subvalent物种

德国科学家孤立的一个氢化二硅化激进第一次。

一个单电子还原产生氢化二硅化mixed-valent激进(右上角)

开壳层硅氢化物存在作为瞬态物种在硅的化学蒸汽沉积,关键过程,使半导体太阳能电池等产品。这些化合物很不稳定,因此很难检测,更不用说隔离。

亚历山大Filippou波恩大学和他的同事已经成功陷阱mixed-valent氢化二硅化激进的两个N杂环卡宾。理论和实验研究表明,不同寻常的分子片段功能终端silicon-hydrogen债券和不对称硅原子自旋密度。betway必威游戏下载大全化合物,其中包含一个硅原子的氧化态+ 1和0的其他国家,非凡是孤立的例子氢化物的硅氧化态低于+ 2是非常罕见的开壳层同族体之前从来没有被报道。

下面的单电子还原hydridodisilicon盐与氢化钾二硅化石墨的彻底被孤立为深绿色结晶材料,在室温下是稳定的。