罕见subvalent复合坐落在半导体和金属间化合物之间的栅栏

美国的研究者们已经复合了不寻常的结合模式,目前的理论不可能预测。满载着过多的金属,Ir₆在₃₂年代₂₁是一种罕见的例子极subchalcogenide,结合金属互化物的特性electron-precise半导体。betway必威游戏下载大全

Mercouri Kanatzidis西北大学的团队建立了精确的合成条件生长晶体的红外光谱₆在₃₂年代₂₁:sulfur-poor条件和液体溶剂铟。subvalent家庭的一部分化合物,subchalcogenide包含剩余的金属,这是部分氧化状态,金属竞争捐献出自己的电子。由于同时拥有-金属和metal-main组交互,subvalent化合物金属互化物和半导体之间保持中立。虽然红外₆在₃₂年代₂₁与其他类似subchalcogenides,令人惊讶的是这是一个半导体,证明半导体行为可以产生于扩展-金属保税网络。

Kanatzidis”研究小组的目标是发现未知的反应途径,使其他科学家预测一个特定的化合物的结构和性质和合成路线。尽管化学家可以经常预测有机反应的结果,同样的不典型的无机固态反应。如果反应路径可以理解没有告诉什么是新的和令人惊讶的化合物被发现,“Kanatzidis说。

这工作丰富了已知subchalcogenides的调色板。Subvalent化合物,尤其是subchalcogenides,相当罕见,所以每一个新实例是化学家的圣诞礼物,”说安娜伊萨耶娃,他是拓扑材料研究小组在德国德累斯顿技术大学。这项工作的主要成果之一是详细了解底层的结合原则。的结构包括一个六角虹膜素的三维网络₇扭曲mono-capped三角棱镜和虹膜素₆扭曲的八面体。铟原子之间充当桥梁结构中的其他原子的电负性。

复合展品文spin-splitting意味着spin-splitting可以由外部控制领域。伊萨耶娃说,这种特性可以看到复合发现在自旋电子学应用程序中使用。